Вальтер Герман Шоттки, немецкий физик
Вальтер Герман Шоттки относится к плеяде выдающихся немецких физиков 20-го века.
Биографическая информация
Датой рождения будущего известного ученого является 23 июля 1886 года. Произошло это на швейцарской земле, в Цюрихе.
Глава семьи Фридрих Герман Шоттки был математиком и в то время занимал профессорскую должность в местном университете. Кроме Вальтера, в семье было еще двое детей. В 1892 году Шоттки возвращаются на родину – в Германию. Здесь отец Вальтера поступил на работу в Марбургский университет.
В 1904 году юноша закончил гимназический курс в Берлине, а через четыре года стал бакалавром физических наук в местном университете. Спустя еще четыре года молодому человеку присваивается степень доктора. Вместе с Шоттки Берлинский университет в то время оканчивали талантливые физики Генрих Рубенс и Макс Планк.
Пройдя университетский курс, Вальтер Шоттки в 1919 году поступил на работу в немецкий университет в Вюрцбурге. Преподавание здесь продлится четыре года, после чего Шоттки предлагают чтение лекций и профессорский пост в университете Ростока. Здесь молодой профессор работал до 1927 года.
Завершив преподавательскую карьеру, Шоттки получил место в компании Siemens & Halske в качестве промышленного исследователя. Ученый смог переехать в Берлин, где занялся активными исследованиями в области полупроводниковой физики, а также вакуума и электроники.
Вальтер Герман Шоттки прожил достаточно долгую жизнь, умерев 4 марта 1976 года в Германии.
Роль в науке
Шоттки вместе с Эрвином Герлахом является изобретателем ленточного микрофона.
Одним из главных научных открытий немецкого физика является выведенная им формулы для определения величины энергии взаимодействия между конкретным точечным зарядом и определенной металлической поверхностью. В основе данной работы лежат термодинамические исследования Лорда Кельвина.
Так называемый «барьер Шоттки» занимает важное место в теориях термо- и автоэлектронной эмиссии. Используя поле, можно снизить барьер и тем самым усилить эмиссионный ток в термоэлектронной эмиссии – «эффект Шоттки».
Исследуя полупроводниковые приборы, было допущено предположение касательно того, что аналогичный барьер должен иметь место на стыке металла и полупроводника. Сегодня подобные барьеры называются барьерами Шоттки. Данные соображения можно применить также в отношении переноса электронов через барьеры, что соответствует более ранним измышлениям о том, что электроны излучаются из металла в вакуум. Стоит отметить, что существуют различные режимы выбросов электронов, что зависит от комбинации поля и показателя температуры. Для разных режимов существуют разные приближенные формулы.
Экспериментально доказано, что барьеры способны действовать в качестве особой формы электронного диода – «диода Шоттки».
При этом Шоттки неверно полагал, что полевая эмиссия электронов возможна только при снижении барьера до нулевого значения. В 1928 году Нордхейм и Фаулер определили, что причиной данного эффекта является волновое механическое туннелирование. Тем не менее барьер Шоттки стал стандартом для туннельного барьера.
Вальтером Шоттки был открыт шрот-эффект, означающий неожиданные скачки тока в газоразрядных трубках в условиях вакуума и высокой температуры. За это ученый получил медаль Хьюза от Королевского общества в Лондоне.
Память о Вальтере Шоттки увековечена в названии института в Германии.